內(nèi)存是電腦不可或缺的重要硬件，購(gòu)買(mǎi)電腦或者筆記本時(shí)，內(nèi)存都是一個(gè)重要的參數(shù)，根據(jù)內(nèi)存條所應(yīng)用的主機(jī)不同，內(nèi)存產(chǎn)品也各自不同的特點(diǎn)，這里給大家分享一些關(guān)于筆記本內(nèi)存選購(gòu)知識(shí)，希望對(duì)大家能有所幫助。
筆記本內(nèi)存情況
一、首先了解自己的筆記本內(nèi)存情況，安裝魯大師之類(lèi)的硬件檢測(cè)工具就可以查看自己的內(nèi)存信息。內(nèi)存主要看兩點(diǎn)大小和頻率。這里就是3G的總內(nèi)存667KHZ的頻率DDR2,由圖我們還可以知道電腦里面搭載了兩塊內(nèi)存。
二、然后是了解電腦的升級(jí)能力，我們可以網(wǎng)上搜電腦的主板信息。或者電腦信息，看其支持的內(nèi)存容量大小是多少。一般來(lái)說(shuō)頻率方面選擇和原來(lái)相同的更加保險(xiǎn)，尤其不能跨代不同代的DDR。
三、接下來(lái)用實(shí)例講解：現(xiàn)在我的電腦是使用的DDR2 2G 667KHZ頻率的內(nèi)存，如果我想進(jìn)行更換買(mǎi)條一樣的內(nèi)存，或者參數(shù)相同其它品牌的內(nèi)存就OK我想進(jìn)行升級(jí)。頻率相同。首先考慮電腦是雙通道，所以原先的內(nèi)存可以保留，那么就另購(gòu)一條2G的內(nèi)存即可。
四、但是有的情況，比如說(shuō)4G內(nèi)存很便宜和2G價(jià)格差距不多，你也可以這樣考慮。如果4G夠用，買(mǎi)下一條4G內(nèi)存，原先的內(nèi)存既可以保留，也可以作為閑置賣(mài)掉這樣也是不錯(cuò)的升級(jí)方案。
升級(jí)建議：對(duì)于筆記本來(lái)說(shuō)日常工作4G內(nèi)存是完全可以應(yīng)付了，所以沒(méi)必要去追求大內(nèi)存。品牌選擇方面，建議使用大品牌的正品內(nèi)存，這樣可以避免兼容性問(wèn)題的出現(xiàn)。
五、內(nèi)存更換拆開(kāi)筆記本底部的硬盤(pán)蓋，按照正確的方式安裝之后，開(kāi)機(jī)測(cè)試如果使用正常那就是成功升級(jí)和更換了內(nèi)存了。
筆記本應(yīng)選低壓內(nèi)存
更持久的使用時(shí)間一直是筆記本不斷追求的核心賣(mài)點(diǎn)，CPU通過(guò)不斷降低的TDP來(lái)延長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間，而內(nèi)存條則借助不斷降低的電壓來(lái)減小電池的消耗。
從最早的SD內(nèi)存3.3V、DDR1 2.6V、DDR2 1.8V、DDR3 1.5V再到DDR3L1.35V/1.28V以及DDR3U 1.25V，內(nèi)存的“升級(jí)史”其實(shí)也是電壓的“降級(jí)史”，其目的就是減小耗電量和降低發(fā)熱量性能不受影響。
所以筆記本用戶(hù)在升級(jí)本條時(shí)要看清說(shuō)明，有的筆記本只支持低壓內(nèi)存，換句話來(lái)說(shuō)低壓內(nèi)存也就是為筆記本等這樣對(duì)于體積和續(xù)航有一定要求的設(shè)備設(shè)計(jì)的，所以購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存時(shí)千萬(wàn)要注意，不要不小心購(gòu)買(mǎi)了PC的標(biāo)壓內(nèi)存，筆記本上卻不能用，造成了經(jīng)濟(jì)上的損失。
相反臺(tái)式電腦用戶(hù)可隨意選，就不需要選擇低壓內(nèi)存了，雖然說(shuō)低電壓的內(nèi)存在性能上并不比標(biāo)準(zhǔn)電壓的內(nèi)存差多少，但目前市面上大多還是標(biāo)準(zhǔn)電壓DDR3，但最好別出現(xiàn)機(jī)器上裝一條1.5V的DDR3，然后又搭配一條1.35V的DDR3L，但是如果真要混用，對(duì)整機(jī)性能的發(fā)揮多少有影響，所以建議臺(tái)式電腦選用的時(shí)候一定要看清內(nèi)存規(guī)格。
什么是低壓內(nèi)存?
在選購(gòu)內(nèi)存時(shí)，你會(huì)發(fā)現(xiàn)內(nèi)存上的標(biāo)示DDR3或DDR3L，后面多出的這個(gè)L就代表著低壓內(nèi)存。
首先，低壓內(nèi)存這個(gè)概念主要是針對(duì)筆記本而言的，在Haswell之前的上一代lvyBridge平臺(tái)上，英特爾就加入了對(duì)DDR3L內(nèi)存的支持，包括聯(lián)想Yoga在內(nèi)的很多l(xiāng)vyBridge平臺(tái)超極本就已經(jīng)用上這種低壓內(nèi)存了。
lvyBridge時(shí)代的DDR3L內(nèi)存還屬于“稀缺資源”，在2013年初市面上能買(mǎi)到的DDR3L內(nèi)存也就僅有鎂光 Crucial英睿達(dá)和三星黑武士等幾款而已。但從Haswell開(kāi)始，“DDR3L”這種低壓版內(nèi)存就很普遍了。
筆記本內(nèi)存的標(biāo)簽上都會(huì)有一組“PC3-__________”或“PC3L-__________”的參數(shù)，其中PC3就代表該內(nèi)存為標(biāo)準(zhǔn)版的DDR3，工作電壓為1.5V;而PC3L則意味著該內(nèi)存為低壓版的DDR3L，工作電壓為1.35V還有1.28V之說(shuō)。
DDR3L全稱(chēng)“DDR3 Low Voltage”低電壓版DDR3，DDR3和DDR3L也就是在電壓規(guī)格上不一樣，DDR3是標(biāo)準(zhǔn)電壓1.5V，而DDR3L是低電壓1.35V，DDR3L是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)向社會(huì)免費(fèi)公開(kāi)了低電壓版內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范“JEDEC DDR3L”，將運(yùn)行電壓從標(biāo)準(zhǔn)版DDR3的1.5V進(jìn)一步降低到了1.35V，并保持功能上的全面兼容。
在同等性能和負(fù)載下相比標(biāo)準(zhǔn)版DDR3功耗可降低15%或者更多，而相比于1.8V DDR2更是可以節(jié)能40%，舉個(gè)例子，也就是說(shuō)一根4G DDR3L 1600筆記本內(nèi)存要比DDR3節(jié)省2W功耗，如果組成雙通道就節(jié)省4W。
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